Konduktivitas Termal Dhuwur DPAK (TO-252AA) SiC Diode
Keunggulan YUNYI's DPAK (TO-252AA) SiC Diode:
1. Biaya kompetitif kanthi kualitas tingkat dhuwur
2. Efisiensi produksi dhuwur kanthi wektu timbal sing cendhak
3. Ukuran cilik, mbantu ngoptimalake papan sirkuit
4. Stabil lan dipercaya ing macem-macem lingkungan alam
5. Self-dikembangaké chip kurang mundhut
Prosedur Produksi Chip:
1. Pencetakan Mekanik(Cetak wafer otomatis super presisi)
2. Etsa Kawitan Otomatis (Peralatan Etsa Otomatis,CPK>1.67)
3. Uji Polaritas Otomatis (Tes Polaritas Tepat)
4. Majelis Otomatis (Majelis Presisi Otomatis sing dikembangake dhewe)
5. Soldering (Perlindhungan karo Campuran Nitrogen & Hidrogen Vakum Solder)
6. Etsa Kapindho Otomatis (Etsa Kapindho Otomatis nganggo Banyu Ultra-murni)
7. Gluing Otomatis (Pluing Seragam & Perhitungan Precise Diwujudake dening Peralatan Gluing Precise Otomatis)
8. Tes Termal Otomatis (Pilihan Otomatis dening Tester Termal)
9. Tes Otomatis (Tester Multifungsi)
Parameter produk:
Nomer Part | Paket | VRWM V | IO A | IFZM A | IR μa | VF V |
ZICRD5650 | DPAK | 650 | 5 | 60 | 60 | 2 |
ZICRD6650 | DPAK | 650 | 6 | 60 | 50 | 2 |
Z3D06065E | DPAK | 650 | 6 | 70 | 3 (0.03 khas) | 1.7 (1.5 khas) |
ZICRD10650CT | DPAK | 650 | 10 | 60 | 60 | 1.7 |
ZICRD10650 | DPAK | 650 | 10 | 110 | 100 | 1.7 |
ZICRD101200 | DPAK | 1200 | 10 | 110 | 100 | 1.8 |
ZICRD12600 | DPAK | 600 | 12 | 50 | 150 | 1.7 |
ZICRD12650 | DPAK | 650 | 12 | 50 | 150 | 1.7 |
Z3D03065E | DPAK | 650 | 3 | 46 | 2 (0.03 khas) | 1.7 (1.4 khas) |
Z3D10065E | DPAK | 650 | 10 | 115 | 40 (0.7 khas) | 1.7 (1.45 khas) |
Z4D04120E | DPAK | 1200 | 4 | 46 | 200 (20 khas) | 1.8 (1.5 khas) |
Z4D05120E | DPAK | 1200 | 5 | 46 | 200 (20 khas) | 1.8 (1.65 khas) |
Z4D02120E | DPAK | 1200 | 2 | 44 | 50 (10 khas) | 1.8 (1.5 khas) |
Z4D10120E | DPAK | 1200 | 10 | 105 | 200 (30 khas) | 1.8 (1.5 khas) |
Z4D08120E | DPAK | 1200 | 8 | 64 | 200 (35 khas) | 1.8 (1.6 khas) |
Z3D10065E2 | DPAK | 650 | 10 | 70 (saben sikil) | 8 (0,002 khas) (saben sikil) | 1.7 (1.5 khas) (saben sikil) |