Ultra-mantep Surface Mount PAR® Transient Voltage Suppressors (TVS) DO-218AB SM8S
Kaluwihan saka DO-218AB SM8S:
1. Amarga teknologi Metode Etching Kimia, asil negatif saka cara nglereni langsung diilangi.
2. Kuat ing mundhak mbalikke amarga chip luwih gedhe tinimbang mitra.
3. Tingkat kegagalan sing sithik banget ing macem-macem cuaca lan wilayah
4. Disetujui dening standar AEC-Q101
5. Fungsi dioda dioptimalake, entuk manfaat saka perlindungan ilmiah ing persimpangan PN.
KARAKTERISTIK UTAMA:
VBR: 11.1 V nganti 52.8 V
VWM: 10 V nganti 43 V
PPPM (10 x 1000 μs): 6600 W
PPPM (10 x 10 000 μs): 5200 W
pd: 8w
IFSM: 700 A
TJ maks.: 175 °C
Polaritas: Uni-arah
Paket: DO-218AB
Prosedur Produksi Chip
1. Printing otomatis(Pencetakan wafer otomatis ultra-tepat)
2. Otomatis First-etching(Peralatan Etsa Otomatis，CPK>1.67）
3. Uji Polaritas Otomatis (Tes Polaritas Tepat)
4. Majelis Otomatis (Majelis Presisi Otomatis sing dikembangake dhewe)
5. Soldering (Perlindhungan karo Campuran Nitrogen & Hidrogen
Solder vakum)
6. Etsa Kapindho Otomatis (Etsa Kapindho Otomatis kanthi Banyu Ultra-murni)
7. Gluing Otomatis (Pluing Seragam & Perhitungan Precise Diwujudake dening Peralatan Gluing Precise Otomatis)
8. Tes Termal Otomatis (Pilihan Otomatis dening Tester Termal)
9. Tes Otomatis (Tester Multifungsi)
